Intel展示下一代混合封裝技術 以Foveros 3D及EMIB-T融合18A與14A製程實現16處理器、24個HBM的高效能晶片

Intel積極展現先進製程與封裝技術，希冀能在先進製程晶圓代工爭取機會；Intel Foundry公布一段技術技術概念短片，展示Intel結合先進製程與封裝的成果，利用Foveros 3D及EMIB-T技術結合18A與14A製程的晶片，可在單一封裝整合最多16個處理器以及24個HBM，鎖定高效能運算晶片市場的企圖顯而易見。

在短片中，Intel介紹多項先進製程與封裝技術，在展示中的高性能晶片採用下一代的14A-E製程，結合RibbonFET 2(第二代環繞式閘極電晶體)與PowerDirect背面供電，並以首度導入PowerVIA背面供電的18A-PT製程生產作為封裝基底的基礎晶粒(Base DIE)，活用Foveros Direct 3D的3D堆疊結構，EMIB-T嵌入式多晶片橋接等方式連接平台上的元件，並強調支援最新的HBM記憶體協議，還有12倍光罩的可擴充性。

公開這段概念影片的用意很明顯是作為爭取外部晶圓代工客戶，不過也不排除Intel內部已將這些概念納入未來產品的規劃；從概念示範設計，即是鎖定高性能AI運算晶片客戶的訂單，尤其隨著許多資料中心業者投入自主設計晶片，也為具備一條龍服務的Intel提供更多機會，只是Intel恐怕還是得以首款18A製程的Panther Lake展示新一代製程的競爭力。